1. 메모리구조

 

REMAP

0x0000 0000 ~ 0x000F FFFF 번지까지의 메모리 선택가능한 Remap 영역이 존재 한다. 이 영역은 필요에 따라 레지스터를 선택하여 Internal Flash, 또는 Internal SRAM 중 선택 해서 사용할 수 있다. 리셋후 초기상태는 이 영역에 Flash가 선택되어 있으나, MC_RCR 레지스터의 RCB bit를 1로 선택시 SRAM처럼 사용할 수 있다.

 

Flash Write / Erase / SAMBA

Flash는 JTAG , FFP 방식, SAMBA 방식으로 Writer 가능하며, 초기 상태에서는 SAMBA 가 동작이 되나 Flash를 한번이라도 Write 하면 SAMBA는 삭제된다. 이때 ERASE 핀이 50ms 이상 VDDIO에 연결되면 Flash는 삭제되며, RESET후 TST=1,PA0~2=1 이면 내부에 숨어있는 SAMBA 이미지를 읽어 SRAM으로 동작 시킨다. 이때는 다시 SAMBA를 동작할 수 있다. 이 동작은 약 10초 정도 걸리기 때문에 약간의 시간이 흐른 후 TST pin을 OPEN 해서 사용하면 된다.

USB로 SAMBA 프로그램 사용한다면 PA16번은 USB pull-up용으로 사용해야 하며, 시리얼 사용시 DBGU PORT를 이용해야 한다. 이때 외부 크리스털은 18.432Mhz가 달려 있어야 한다.

 

<전체 메모리 구조>

 

 

'공부 > SAM7S' 카테고리의 다른 글

[SAM7S] AT91SAM7S 자료 6  (0) 2012.11.14
[SAM7S] AT91SAM7S 자료 5  (0) 2012.11.14
[SAM7S] AT91SAM7S 자료 4  (0) 2012.11.14
[SAM7S] AT91SAM7S 자료 2  (0) 2012.11.14
[SAM7S] AT91SAM7S 자료 1  (0) 2012.11.14

+ Recent posts